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Lagraf, Fairouz, Laboratory of active components and materials, Faculty of Exact Sciences, Natural and Life Science,University Larbi Ben M’hidi Oum El Bouaghi, 4000, Algeria.

  • - Semiconductor Materials
    Modeling of Surrounding Gate MOSFETs with Interface trapped charges
    Résumé


Universit Ferhat ABBAS Stif1

Site El Bez Stif 19000-Algrie

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