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Guergouri, Kamel, Laboratory of active components and materials, Faculty of Exact Sciences, Natural and Life Science,University Larbi Ben M’hidi Oum El Bouaghi, 4000, Algeria.

  • - Semiconductor Materials
    Modeling of Surrounding Gate MOSFETs with Interface trapped charges
    Résumé


 

Université Ferhat ABBAS Sétif1

Site El Bez Sétif 19000-Algérie

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