Détails relatifs à l'auteur

Talbi, Abassia, Laboratoire de Microélectronique Appliquée Université Djillali Liabès de Sidi Bel Abbès 22000, Algeria, ALGÉRIE

  • - Semiconductor Materials
    Electrical properties of Au/n-InP Schottky diode with InN interfacial layer
    Résumé