L'oxyde de nikel (NiO) et Poly(3-hexylthiophe) (P3HT) sont des semi-conducteursde typep (donneur d'ectrons) fruemment udidans le cadre de la conception de cellules photovoltaiques polymes[1]. Il existe quelques mhodes considables disponibles pour produire des films P3HT tels que spin coating et dip-coating... [2,3]

Dans ce travail, des couches minces de P3HT modifis par incorporation de NiO avec diffentes pourcentage (1%, 2%, 5%) ont prars par la mhode spin-coating sur des plaques d'oxyde d'indium dopl'ain (ITO). Dont l'objectif est l'ude de l'effet du NiO incorporsur les propri optiques, structurales, et photoectrochimiques de ces couches.

Les rultats obtenus montrent que le NiO ait dispersuniforment dans les films minces de P3HT et a affectsur la rugositde surface et sur les propri photoectrochimiques de ces films.

MOTS-CLES: P3HT, NiO, photocourant, ITO.

REFERENCES

[1]P. Vanlaeke, A. Swinnen, I. Haeldermans, G. Vanhoyland, T. Aernouts, D. Cheyns, C. Deibel, J. D'Haen, P. Heremans, J. Poortmans et J. V. Manca,P3HT/PCBM bulk heterojunction solar cells: Relation between morphology and electro-optical characteristics, Solar Energy Materials and Solar Cells,vol.90,no14,"2006,p.2150-2158.

[2]R. Bkakri, N. Chehata, A. Ltaief, O.E. Kusmartseva, F.V. Kusmartsev, M. Song, A. Bouazizi Effects of the graphene content on the conversion efciency of P3HT: Graphene based organic solar cells Journal of Physics and Chemistry of Solids 85 (2015) 206211.

[3]G. Wang, T. Hirasa, D. Moses^, , A. J. Heeger Fabrication of regioregular poly(3-hexylthiophene) field-effect transistors by dip-coating Synthetic Metals Volume 146, Issue 2, 20 October 2004, Pages 127132.