Rume

L'oxyde de zinc (ZnO) et un semi-conducteur de type n large bande interdite (3.37 eV), une grande ergie de liaison de l'exciton de (60 meV) [1]. ZnO a suscitun int croissant en raison de sa capacitformer une varide nanostructures comme: couche mince, reaux ordonn de micro- et nano-plots, reaux libres de nanofils [2] ce qui lui rend un matiau largement utilisdans divers applications technologiques telles que les cellules solaires, optoectronique, les diodes ectroluminescentes, les lasers...ect [3-5].

Dans ce travail, une ude des nanofils de ZnO a rlis partir d'une solution aqueuse contenant 10^-3 M de Zn(NO₃)₂ et 0.1M de KCl, en utilisant un substrat d'ITO afin d'amiorer les propri des nanofiles de ZnO travers l'ude de l'effet de couche tampon, La technique de la voltamrie cyclique permet de derminer le domaine de stabilitde l'ITO. Les mesures de Mott-Schottky confirment que les ds obtenues ont une conductivitde type n. L'analyse structurale par la mhode de diffraction des rayons-X (DRX) re que les ds cristallisent dans la structure hexagonale de type wurtzite avec une orientation prentielle (002) selon l'axe c. Les propri optiques des nanofils mens par la spectroscopique UV-Visible montrent une forte transmittance de l'ordre de 80% dans le domaine du visible. Egalement, le gap optique calculpar la relation du Tauc est de 3.37 eV et 3,16 eV pour les ds sans et avec la couche tampon, respectivement.

MOTS CLES : ZnO, nanofils, Mott-Schottky,couche tampon.

Rence

[1] J. Zhao, Z.G. Jin, T. Li, X.X. Liu, Appl. Surf. Sci., 252 (2006) 8287.

[2] R. Tena-Zaera, J. Elias, C. Ly-Clent, AppliedPhysicsLetters, 93 (2008) 233119.

[3] I.Y. Bu, Mater. Sci. Semicond. Process.16 (2013) 1730.

[4] L. Mentar, O. Baka, M.R. Khelladi, A. Azizi, S.Velumani, G. Schmerber, A. Dinia,J. Mater Sci: Mater Electron 26 (2015) 1217.

[5] O. Baka, A. Azizi, S.Velumani, G. Schmerber, A. Dinia, J. Mater Sci: Mater Electron., 25 (2014) 1761.