Dernière modification: 2017-11-18
Résumé
Résume
L'oxyde de zinc (ZnO) et un semi-conducteur de type n í large bande interdite (3.37 eV), une grande énergie de liaison de l'exciton de (60 meV) [1]. ZnO a suscité un intéríªt croissant en raison de sa capacité í former une variété de nanostructures comme : couche mince, réseaux ordonnés de micro- et nano-plots, réseaux libres de nanofils [2] ce qui lui rend un matériau largement utilisé dans divers applications technologiques telles que les cellules solaires, optoélectronique, les diodes électroluminescentes, les lasers...ect [3-5].
Dans ce travail, une étude des nanofils de ZnO a été réalisée í partir d'une solution aqueuse contenant 10-3 M de Zn(NO3)2 et 0.1M de KCl, en utilisant un substrat d'ITO afin d'améliorer les propriétés des nanofiles de ZnO í travers l'étude de l'effet de couche tampon, La technique de la voltamí¨trie cyclique permet de déterminer le domaine de stabilité de l'ITO. Les mesures de Mott-Schottky confirment que les dépí´ts obtenues ont une conductivité de type n. L'analyse structurale par la méthode de diffraction des rayons-X (DRX) réví¨le que les dépí´ts cristallisent dans la structure hexagonale de type wurtzite avec une orientation préférentielle (002) selon l'axe c. Les propriétés optiques des nanofils menées par la spectroscopique UV-Visible montrent une forte transmittance de l'ordre de 80% dans le domaine du visible. Egalement, le gap optique calculé par la relation du Tauc est de 3.37 eV et 3,16 eV pour les dépí´ts sans et avec la couche tampon, respectivement.
MOTS – CLES : ZnO, nanofils, Mott-Schottky,couche tampon.
Référence
[1] J. Zhao, Z.G. Jin, T. Li, X.X. Liu, Appl. Surf. Sci., 252 (2006) 8287.
[2] R. Tena-Zaera, J. Elias, C. Lévy-Clément, AppliedPhysicsLetters, 93 (2008) 233119.
[3] I.Y. Bu, Mater. Sci. Semicond. Process.16 (2013) 1730.
[4] L. Mentar, O. Baka, M.R. Khelladi, A. Azizi, S.Velumani, G. Schmerber, A. Dinia,J. Mater Sci: Mater Electron 26 (2015) 1217.
[5] O. Baka, A. Azizi, S.Velumani, G. Schmerber, A. Dinia, J. Mater Sci: Mater Electron., 25 (2014) 1761.