L'oxyde  de  zinc  est  un  matériau  semiconducteur  multifonctionnel  avec  des multiples applications dans l'électronique et dans le photovoltaí¯que, avec différentes possibilités de synthí¨se en impliquant des méthodes peu couteuses. L'oxyde de zinc est un semi-conducteur de type II-VI í  large bande interdite directe de 3,3 eV í  température ambiante. Il est transparent dans le visible et dans le proche infra-rouge.

Les dépí´ts des couches minces d'oxyde de zinc (ZnO) pures et dopées par différentes concentrations d'Eu ont été réalisés par la technique d'électrodéposition sur l'ITO.

L'analyse par la diffraction des rayons X (DRX) a montré que tous les échantillons ont une structure hexagonale de type Wurtzite. La caractérisation morphologique des  échantillons  par  la  microscopie  í   force atomique (AFM) montre une modification notable de la topographie avec une variation de la rugosité lors du dopage. Les propriétés optiques indiquent que la transmission de tous les échantillons est élevée et le gap optique augmente aprí¨s le dopage.