L'oxyde de zinc est un matiau semiconducteur multifonctionnel avec des multiples applications dans l'ectronique et dans le photovoltaue, avec diffentes possibilit de synthe en impliquant des mhodes peu couteuses. L'oxyde de zinc est un semi-conducteur de type II-VI large bande interdite directe de 3,3 eV tempature ambiante. Il est transparent dans le visible et dans le proche infra-rouge.

Les ds des couches minces d'oxyde de zinc (ZnO) pures et dops par diffentes concentrations d'Eu ont rlis par la technique d'ectrodosition sur l'ITO.

L'analyse par la diffraction des rayons X (DRX) a montrque tous les hantillons ont une structure hexagonale de type Wurtzite. La caractisation morphologique des hantillons par la microscopie force atomique (AFM) montre une modification notable de la topographie avec une variation de la rugositlors du dopage. Les propri optiques indiquent que la transmission de tous les hantillons est ev et le gap optique augmente apr le dopage.